快速页面模式的动态随机存取存储器（Fast Page Mode DRAM，FPM DRAM）是动态随机存取存储器技术发展历程中的过渡性产品，最早应用于486电脑时代。该技术采用32bit带宽设计，工作电压为5V，通过优化存储器访问时序提升性能，其典型时序参数为6-3-3-3。

FPM DRAM诞生于个人计算机快速普及的486时代（约20世纪90年代初），是DRAM技术从基本型向改进型演进过程中的首个重要形态。相较于传统DRAM，其页面模式访问机制通过减少行地址重复传输次数，显著缩短了连续数据访问的延迟时间。

截至2020年相关技术文献记载，该产品已退出主流计算机硬件市场，其市场生命周期约持续至Pentium处理器早期阶段。在1996年前后，随着EDO DRAM技术的成熟，FPM DRAM逐步停止大规模生产。

FPM DRAM采用5V直流电压工作，物理接口包含30线与72线两种配置形式。该器件典型存取速度在60ns以上，主要技术特征包括：

其6-3-3-3时序参数具体表现为：首字节读取周期6个时钟周期，后续连续存取每个字节耗时3个时钟周期。这种时序优化使得在连续内存访问场景下，实际数据传输效率较传统DRAM提升约15%。

作为过渡性内存技术，FPM DRAM主要应用于486电脑年代，现已淡出市场。其市场定位具有以下特征：

随着Windows 95操作系统对内存需求的激增，FPM DRAM逐渐无法满足更高性能要求，这直接推动了EDO DRAM的市场替代进程。

FPM DRAM的技术改进主要体现在地址总线控制逻辑层面：

这些改进为后续内存技术发展提供了关键技术支持。EDO DRAM在FPM DRAM基础上增加了数据保持电路，使得在当前周期结束前即可启动下一周期操作，此项改进使内存控制器能更高效地调度访问请求，性能提升20%~40%。

在技术替代过程中，FPM DRAM的退出速度受以下因素影响：

根据2015年技术文档记载，FPM DRAM的典型时序是6-3-3-3。